據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子代工部門采用4nm工藝生產(chǎn)的邏輯芯片測試良率已超過40%。這一進(jìn)展為其在高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)領(lǐng)域的競爭注入新動力，尤其是在開發(fā)和量產(chǎn)第六代高帶寬存儲器（HBM4）方面。
一位半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士指出，“初始測試生產(chǎn)良率達(dá)到40%已屬不錯，業(yè)務(wù)可以立即展開。”他補(bǔ)充道，代工流程良率通常從10%左右起步，隨著量產(chǎn)推進(jìn)會逐步提升。三星目前在HBM3E（第五代HBM）市場落后于SK海力士和美光，因此正全力推進(jìn)HBM4邏輯芯片的生產(chǎn)。這種芯片采用先進(jìn)制程工藝，不僅性能提升顯著，還能根據(jù)客戶需求定制設(shè)計(jì)，靈活應(yīng)對“定制HBM”市場需求。
三星電子HBM4業(yè)務(wù)的成敗關(guān)鍵在于其內(nèi)存業(yè)務(wù)部門正在開發(fā)的10nm級第六代（1c）DRAM。HBM4的12層產(chǎn)品需配備1c DRAM和邏輯芯片，若能實(shí)現(xiàn)1c DRAM的穩(wěn)定量產(chǎn)，三星有望在HBM4性能上占據(jù)優(yōu)勢。
半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示，“對三星電子而言，當(dāng)前的主要任務(wù)是穩(wěn)定HBM搭載的DRAM及封裝技術(shù)。”這將是其在HBM市場競爭中取得突破的關(guān)鍵所在。

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