5月iOS設(shè)備性能榜：M1 M2依舊是榜單前五
和上個(gè)月一樣，沒有新品發(fā)布的iOS設(shè)備性能榜的上榜設(shè)備并沒有什么更替，僅僅只有跑分變化而產(chǎn)生的排名變動，剛剛開始的蘋果WWDC2023，推出的產(chǎn)品也依舊是新款Mac Pro、新款Mac Stu
天碩 G55 Pro M.2 NVMe 工業(yè)級 SSD 以自研 PCIe Gen3x4 主控 + 100% 純國產(chǎn)元器件實(shí)現(xiàn)了 3600MB/s 高速讀取，-55℃~85℃的超寬溫域穩(wěn)定運(yùn)行；以硬件級 PLP 掉電與固件協(xié)同保護(hù)全盤，支持智能軟銷毀功能。天碩 (TOPSSD) 工業(yè)級固態(tài)硬盤滿足工業(yè)級抗振耐沖擊標(biāo)準(zhǔn)，擁有 200 萬小時(shí) + MTBF 高可靠認(rèn)證及 GJB2017 體系背書，精準(zhǔn)契合國產(chǎn)化存儲對高性能、高可靠、高耐用的嚴(yán)苛需求。
本文將帶你了解固態(tài)硬盤（SSD）是如何寫入、擦除和讀取數(shù)據(jù)的，以及主控和閃存顆粒都起到哪些作用。
SSD 的最基本存儲單元：浮柵晶體管
固態(tài)硬盤的核心存儲介質(zhì)是 NAND 閃存顆粒，其基本單元為浮柵晶體管。與機(jī)械硬盤的磁記錄原理不同，SSD 通過控制電子在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的囚禁與釋放，將數(shù)據(jù)編碼為二進(jìn)制狀態(tài)（0 或 1），實(shí)現(xiàn)非易失性存儲，即斷電后數(shù)據(jù)不丟失。
浮柵晶體管的構(gòu)造
浮柵晶體管是一種特殊的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET），其核心結(jié)構(gòu)分為四層：
控制柵極：外部施加電壓的電極，用于控制電子進(jìn)出。
絕緣層：包裹浮柵的高質(zhì)量二氧化硅，阻止電荷自然泄漏。
浮柵層：懸浮的電荷存儲層，由多晶硅構(gòu)成，用于囚禁電子。
P 型襯底：包含源極（Source）與漏極（Drain），形成電流通道。
浮柵被上下絕緣層完全隔離，一旦電子進(jìn)入，無外部電場作用時(shí)無法逃逸。當(dāng)浮柵層中的電子高于中間值時(shí)，被記值為 0；反之，則被記值為 1。
寫入數(shù)據(jù)
需要寫入數(shù)據(jù)時(shí)，主控會在控制極 G 施加一個(gè)高壓，讓來自源極的電子可以穿過隧穿層，進(jìn)入浮柵層。因?yàn)橛薪^緣層的存在，電子無法繼續(xù)向前移動，就被囚禁在了浮柵層。
而當(dāng)我們把電壓撤去，這些電子依然會被囚禁在浮柵層，因?yàn)樗泶颖举|(zhì)上也相當(dāng)于絕緣體，就這樣一位數(shù)據(jù)被存儲了。
擦除數(shù)據(jù)
那么如果之前寫入了“0”，現(xiàn)在想改寫成“1”，能直接在原來的位置上操作嗎？答案是：不能！由于 NAND 閃存的物理結(jié)構(gòu)限制，浮柵被絕緣層包圍，電子無法直接“覆蓋”，必須通過擦除操作釋放電荷，才能重新寫入數(shù)據(jù)。
因此，想要在 NAND 中寫入新數(shù)據(jù)，必須先擦除數(shù)據(jù)。其本質(zhì)就是在釋放電子，通過在 P 型襯底上施加高壓，從而吸出電子。
值得注意的是，由于整個(gè)塊都共用一個(gè) P 型襯底，因此閃存都是以“塊”為單位進(jìn)行擦除數(shù)據(jù)的。
讀取數(shù)據(jù)
當(dāng)需要讀取數(shù)據(jù)時(shí)，主控就會往控制極 G 施加一個(gè)較低的電壓，將源極和漏極導(dǎo)通。由于電壓較低，電子只能被吸引到靠近隧穿層的位置，卻無法穿過隧穿層，因而源極漏極可以導(dǎo)通，形成電流。而存儲 0 的浮柵層會比存儲 1 的浮柵層有更多的電子，從而抵消控制極較低的電壓，控制極需要更大的電壓才能導(dǎo)通源極和漏極。
根據(jù)以上原理，主控可以通過閾值電壓的不同，來判斷浮柵中是否有電子。將單元中的電壓與閾值電壓進(jìn)行比較，高于閾值電壓識別為“0”，低于閾值電壓識別為“1”。
* 每單元存儲比特越大，主控識別的難度越高
一片指甲蓋大小的閃存顆粒，就能包含 2 萬億個(gè)浮柵晶體管；它們堆疊在一起，存儲著海量的 0 和 1。這是人類工程學(xué)造就的奇境：方寸之間，盛放著一個(gè)能映照現(xiàn)實(shí)、編碼想象的的廣闊信息世界。
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