近日，復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國重點(diǎn)實驗室的周鵬-劉春森團(tuán)隊宣布，在二維電子器件工程化領(lǐng)域取得重大突破。該團(tuán)隊成功研發(fā)出全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片，相關(guān)成果以《全功能二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片》為題，于北京時間10月8日晚間在《自然》期刊上發(fā)表。sBq28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

當(dāng)前，集成電路制造的主流工藝仍是CMOS技術(shù)，市場中的大部分芯片均采用該技術(shù)生產(chǎn)。然而，復(fù)旦團(tuán)隊認(rèn)為，若要加速新技術(shù)孵化，需將二維超快閃存器件與CMOS傳統(tǒng)產(chǎn)線深度融合。這種融合不僅能為CMOS技術(shù)帶來突破，還能縮短新一代顛覆性器件的應(yīng)用周期。sBq28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

團(tuán)隊研發(fā)的“長纓（CY-01）”架構(gòu)，正是這一理念的實踐。該架構(gòu)將此前問世的“破曉（PoX）”二維超快閃存器件與成熟硅基CMOS工藝結(jié)合，實現(xiàn)了混合架構(gòu)的工程化。基于CMOS電路控制的二維存儲核心，支持8-bit指令操作、32-bit高速并行操作與隨機(jī)尋址，良率高達(dá)94.3%，性能遠(yuǎn)超現(xiàn)有Flash閃存技術(shù)。sBq28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

“從第一個原型晶體管到第一款CPU，傳統(tǒng)路徑花了約24年。而我們通過融入現(xiàn)有CMOS產(chǎn)線，大幅壓縮了這一過程。”團(tuán)隊成員劉春森表示，未來可進(jìn)一步加速探索顛覆性應(yīng)用。sBq28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

實現(xiàn)這一突破并非易事。硅材料與二維材料的差異巨大：硅片厚度通常在幾百微米，而二維半導(dǎo)體材料僅1-3個原子厚，如同“蟬翼”般脆弱。直接將二維材料鋪在CMOS電路上，極易導(dǎo)致材料破裂，更無法實現(xiàn)電路性能。為此，團(tuán)隊決定從二維材料本身的柔性入手，采用模塊化集成方案。sBq28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

具體而言，團(tuán)隊先將二維存儲電路與CMOS電路分離制造，再通過高密度單片互連技術(shù)（微米尺度通孔）實現(xiàn)完整芯片集成。這一創(chuàng)新工藝，使二維材料與CMOS襯底在原子尺度上緊密貼合，最終實現(xiàn)了超過94%的芯片良率。sBq28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

團(tuán)隊還提出了跨平臺系統(tǒng)設(shè)計方法論，涵蓋二維-CMOS電路協(xié)同設(shè)計、跨平臺接口設(shè)計等，并將這一系統(tǒng)集成框架命名為“長纓（CY-01）架構(gòu)”。此前，團(tuán)隊在2024年的《自然-電子學(xué)》上發(fā)表了第一項集成工作，在最理想的原生襯底上實現(xiàn)了二維良率的突破，為后續(xù)在復(fù)雜CMOS襯底上解決問題奠定了基礎(chǔ)。sBq28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

目前，該芯片已成功流片，標(biāo)志著從基礎(chǔ)研究到工程化應(yīng)用的跨越。團(tuán)隊下一步計劃建立實驗基地，與相關(guān)機(jī)構(gòu)合作推進(jìn)工程化項目，計劃用3-5年時間將項目集成到兆量級水平，并將產(chǎn)生的知識產(chǎn)權(quán)和IP授權(quán)給合作企業(yè)。sBq28資訊網(wǎng)——每日最新資訊28at.com

本文鏈接：http://m.rrqrq.com/showinfo-22-185177-0.html復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊突破：全球首創(chuàng)二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片問世

聲明：本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識，若有侵權(quán)等問題請及時與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com

上一篇： 小米17系列首周銷量緊追蘋果：高端市場嶄露頭角，Pro系列銷量反超

下一篇： 消息稱V社“Deckard”VR頭顯已量產(chǎn)，或推兩種配置，預(yù)計年內(nèi)發(fā)售