小米降噪藍牙耳機Necklace分享：聽一首歌 讀懂一個故事
在今天下午的小米Civi 2新品發布會上，小米還帶來了一款新的降噪藍牙耳機Necklace，我們也在發布結束的第一時間給大家帶來這款耳機的簡單分享?，F在大家能見到最多的藍牙耳機
8月28日消息，據外媒報導，因為面向數據中心的AI芯片需求供不應求，英偉達計劃提高2024年A100、H100 和其他 GPU加速卡的產量，以滿足市場的強勁需求。知情人士透露，英偉達計劃將H100加速卡（GH100芯片）的產能拉高至少三倍，預測明年的出貨量將介于150~200萬顆，遠多于今年的50萬顆。
當前，需要用到 GH100 芯片的產品，包括 H100 加速卡和 GH200 Grace Hopper （包括新版）等產品。而這些高階產品想提高供應量并不是一件容易的事，這涉及到供應鏈的每一個環節，例如英偉達和臺積電最近一段時間就為提高 CoWoS 封裝產能而費盡心思。更何況 GH100 本來就是設計非常復雜的晶片，想大規模制造并不容易。
據了解，如果想大幅度提升 GH100 芯片產量，需要突破幾個瓶頸。
首先，要保證 GH100 芯片的產量，英偉達需要臺積電增加定制化 N4P 制程技術的產能。外媒粗略預估，目前每片 12 吋晶圓最多可以生產 65 顆 GH100 芯片。如果輝達想將產量提高到 200 萬顆，那么需要約 3.1 萬片晶圓，這條件對對于臺積電當前月產能達 15 萬片整個 5nm 制程技術的產能似乎沒有太大問題。
其次，英偉達高端AI芯片依賴于臺積電的 CoWoS 先進封裝，但目前的產能是遠遠不則的，這也是為什么此前傳出英偉達考慮讓三星分擔部分封裝訂單的原因之一。
據美系外資法人分析，英偉達是采用臺積電 CoWoS 封裝的最大客戶，例如包括A100和H100系列均采用的是臺積電CoWoS先進封裝技術，英偉達占臺積電 CoWoS 產能比重約 40% 至 50%。正因為CoWoS產能緊缺，英偉達 8 月上旬推出的 L40S 芯片，未采用 HBM內存，因此不會受制于臺積電 CoWoS 封裝產能不足的問題。
產業人士指出，通用圖形處理器采用更高規格的高帶寬內存，需借助由2.5D先進封裝技術將核心晶粒（die）整合在一起，而 CoWoS 封裝的前段芯片堆疊（Chip on Wafer）制程，主要在晶圓廠內透過 65nm制造并進行硅通孔蝕刻等工序，之后再進行堆疊芯片封裝在載板上（Wafer on Substrate）。
不過臺積電 CoWoS 封裝產能吃緊，在 7 月下旬法人說明會，臺積電預估 CoWoS 產能將擴增 1 倍，但供不應求情況要到明年底才可緩解。臺積電 7 月下旬也宣布斥資近新臺幣 900 億元，在竹科轄下銅鑼科學園區設立先進封裝晶圓廠，預計 2026 年底完成建廠，量產時間落在 2027 年第三季或第三季。
英偉達財務長克芮斯（Colette Kress）在 8 月 24 日在線上投資者會議透露，英偉達在 CoWoS 封裝的關鍵制程，已開發并認證其他供應商產能，預期未來數季供應可逐步爬升，英偉達持續與供應商合作增加產能。
美系外資法人整合 AI 芯片制造的供應鏈信息指出，CoWoS 產能是 AI 芯片供應產生瓶頸的主要原因。亞系外資法人分析，CoWoS 封裝產能吃緊，關鍵原因在中介層供不應求，因為中介層硅穿孔制程復雜，且產能擴充需要更多高精度設備，但交期拉長，既有設備也需要定期清洗檢查，硅通孔制程時間拉長，因此牽動 CoWoS 封裝排程。
除了臺積電，今年包括聯電和日月光投控旗下硅品精密，也逐步擴充 CoWoS 產能。臺積電在 4 月下旬北美技術論壇透露，正在開發重布線層（RDL）中介層的 CoWoS 解決方案，可容納更多高帶寬內存堆疊；聯電在 7 月下旬法說會也表示，加速展開提供客戶所需的硅中介層技術及產能。美系外資法人透露，臺積電正將部分硅中介層（CoWoS-S）產能轉移至有機中介層（CoWoS-R），以增加中介層供應。日月光投控在 7 月下旬法說會也表示，正與晶圓廠合作包括先進封裝中介層元件；IC 設計服務廠創意去年 7 月指出，持續布局中介層布線專利，并支援臺積電的硅中介層及有機中介層技術。
此外，英偉達GH100 還需要 HBM2E、HBM3 和 HBM3E 等高帶寬內存。而英偉達需要獲得足夠數量的高帶寬內存，雖然目前主要由SK海力士供應，但是隨著需求的提升，預期可能需要從三星、SK 海力士和美光來同時采購。
最后，英偉達的服務器合作伙伴能夠將基于 GH100 芯片打造加速卡產品裝入到服務器，不但考驗合作伙伴的產能，而且市場要一直保證足夠的需求量。而一旦如果所有條件都成立，則 2024 年英偉達的業績將有望更上一層樓。
編輯：芯智訊-林子
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