據韓媒Financial News報道，三星電子正計劃通過新成立的任務小組（TF），加速第七代DRAM（1d DRAM）的量產進程，為高帶寬存儲器（HBM）市場反攻奠定基礎。此舉被視為三星重拾技術優勢、搶回全球DRAM市場第一寶座的重要舉措。
調研機構數據顯示，2025年第一季度，三星在全球DRAM市場的市占率約為34%，落后于SK海力士的36%。面對這一局面，三星顯然希望通過次世代存儲器技術的突破，扭轉競爭劣勢。據悉，三星半導體暨裝置解決方案（DS）部門的存儲器事業部已新設制程架構（PA）TF，專門負責1d DRAM量產前的準備工作，并持續擴充團隊規模。
高性能DRAM已成為HBM市場的關鍵競爭點。例如，第六代HBM（HBM4）的量產離不開高效能DRAM的支持。因此，三星此次成立專項小組，旨在加速次世代DRAM技術的成熟與量產，以搶占HBM市場先機。
此外，三星還通過半導體研究所的團隊，專注于10納米以下先進制程的研發。業內人士指出，三星正面臨技術競爭壓力，尤其在良率提升方面存在挑戰。此次集結人力推進1d DRAM量產，表明其技術已達到一定成熟度。
盡管三星計劃在2026年量產1d DRAM，并于2027年推出10納米以下的第一代DRAM（D0a），但業界對其能否成功扭轉頹勢仍持觀望態度。截至目前，尚未有企業完成第七代DRAM的開發與量產。
對于相關傳聞，三星表示，不對市場猜測發表評論。

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