據報道，臺積電在2025年北美技術研討會上宣布，其N2（2nm級）芯片制程技術預計在今年下半年進入大規模量產階段。這是臺積電首次采用環柵（GAA）納米片晶體管技術的制程節點，將顯著提升芯片性能與能效表現。
N2制程技術將為眾多2025年上市的產品提供支持，包括AMD面向數據中心的下一代EPYC“Venice”CPU，以及蘋果用于智能手機、平板電腦和PC的全新SoC。得益于環繞柵極晶體管（GAAFET）技術的引入，N2不僅提升了性能和晶體管密度，還實現了顯著的功耗降低。
據臺積電透露，N2相較于N3E制程實現了“全節點改進”，性能提升10%至15%，功耗降低25%至30%，晶體管密度增加15%。目前，256Mb SRAM模塊的平均良率已超過90%，表明該制程技術正逐步邁向成熟。
GAA納米片晶體管通過柵極360度環繞溝道的設計，增強了對溝道的靜電控制，從而在縮小晶體管尺寸的同時優化性能和功耗。這一技術優勢為未來更高密度、更高效率的芯片設計奠定了基礎。
此外，臺積電計劃在明年推出N2的后續工藝技術A16和N2P，進一步滿足市場對高性能芯片的需求。

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