據(jù)報道，英特爾計劃在2025年VLSI研討會上詳細介紹其Intel 18A制造技術(shù)（相當于1.8nm工藝）。這一技術(shù)相較于Intel 3（7nm工藝）在功耗、性能和面積（PPA）指標上實現(xiàn)了顯著提升，為客戶端和數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品帶來實際優(yōu)勢。
Intel 18A是英特爾首個采用環(huán)繞柵極（GAA）RibbonFET晶體管和PowerVia背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）的節(jié)點。在相同電壓（1.1V）和復(fù)雜度下，Intel 18A相比Intel 3工藝性能提升了25%；在相同頻率和1.1V電壓下，功耗降低36%。而在較低電壓（0.75V）下，性能提升18%，功耗降低38%。此外，Intel 18A工藝的面積縮小率達到0.72倍。
標準單元布局的優(yōu)化進一步凸顯了Intel 18A的進步。高性能庫中的單元高度從240CH降至180CH，高密度庫中的單元高度從210CH降至160CH，垂直尺寸減少約25%。更緊湊的單元架構(gòu)不僅提升了晶體管密度，還提高了面積效率。PowerVia BSPDN的引入通過從芯片正面卸載電源線，釋放信號布線空間，進一步優(yōu)化布局。
英特爾預(yù)計在2025年晚些時候為客戶端PC處理器“Panther Lake”量產(chǎn)芯片，并于2026年初為Clearwater Forest數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)提供芯片。此外，2025年中期將完成首批第三方Intel 18A芯片設(shè)計的流片。據(jù)悉，英特爾、Alphawave Semi、蘋果和英偉達的工程師共同撰寫了一篇關(guān)于使用Intel 18A工藝實現(xiàn)PAM-4發(fā)射器的論文，表明這些公司對該技術(shù)表現(xiàn)出興趣。

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