4月2日，魯晶半導體技術團隊與山東大學新一代半導體材料研究院達成深化合作協議，計劃聯合申報國家級科研項目，共建實驗室，并推動技術標準制定。雙方將以此次合作為契機，構建“基礎研究+技術攻關+產業落地”全鏈條創新體系，助力國產半導體實現自主可控。
當天的交流中，雙方聚焦超高壓5000V SiC肖特基二極管及大功率MOSFET器件的技術進展。魯晶半導體團隊分享了其在器件研發與制造中的階段性成果，山東大學專家則從學術層面剖析了高頻、高效、高溫性能的優化方案。雙方一致認為，SiC功率器件憑借耐高壓、低損耗的特性，將成為未來電力電子領域的核心技術方向。
此外，魯晶半導體技術團隊還重點介紹了SiC器件在新能源汽車、光伏儲能、充電樁等場景的應用潛力。山東大學專家針對高功率密度、長壽命等需求提出了優化建議。雙方均表示，SiC技術的規模化應用將顯著提升能源效率，降低碳排放，為實現“雙碳”目標提供重要技術支撐。
據魯晶芯城消息，魯晶半導體將依托山東大學新一代材料研究院的平臺及人才資源，強化技術研發能力；山東大學則借助企業的產業資源與市場渠道，加速科研成果的轉化。
圖源：魯晶芯城

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