EUV隨便買就是任性 SK海力士DDR5內(nèi)存用上5+層EUV

來源：責(zé)編：時間：2025-08-12 15:24:48 84觀看

導(dǎo)讀快科技8月11日消息，邏輯芯片在進入5nm節(jié)點之后全面使用了EUV工藝，存儲芯片使用DUV工藝為主，這四五年才剛開始嘗試EUV工藝，現(xiàn)在SK海力士公司更為激進，新一代DDR5將使用5層及以上EUV光刻。大家都知道，相比于DUV光刻

快科技8月11日消息，邏輯芯片在進入5nm節(jié)點之后全面使用了EUV工藝，存儲芯片使用DUV工藝為主，這四五年才剛開始嘗試EUV工藝，現(xiàn)在SK海力士公司更為激進，新一代DDR5將使用5層及以上EUV光刻。

大家都知道，相比于DUV光刻，EUV光刻的13.5nm波長更短，光刻精度更高，有助于提告密度，減少工藝復(fù)雜性，以往需要多次光刻的步驟在EUV上可能一次就夠了，這對DRAM內(nèi)存芯片來說也是適用的。

三星早在2020年就率先宣布在內(nèi)存芯片中使用EUV光刻，美光隨后也跟上了，SK海力士晚了一年在2021年才宣布在第四代10nm級工藝上使用EUV光刻，不過之前DRAM芯片往往只使用了1層EUV光刻。

現(xiàn)在SK海力士要加碼EUV，第六代10nm級DDR5芯片（1c DRAM）將全面改進光刻工藝，EUV光刻層數(shù)將提升到5層以上，并且在未來的1d、0a級別內(nèi)存上全面使用EUV光刻。

不過首發(fā)的產(chǎn)品規(guī)格并不高，DDR5內(nèi)存的顆粒還是16Gb的，并沒有太過追求容量提升，還是主流水平。

除了DDR5內(nèi)存芯片，HBM家族的芯片未來也會大量使用EUV光刻工藝，SK海力士希望用技術(shù)優(yōu)勢讓對手追無可追，希望甩開三星的意圖很明顯。

不僅如此，SK海力士還在下一代的EUV光刻機——High NA EUV上押注頗多，后者的NA數(shù)值孔徑從當(dāng)前EUV的0.33提升到0.55，精度更高，不過光刻機的價格也貴了很多，從1.5-2億美元暴漲到4億美元甚至更高。

SK海力士計劃從2026年開始使用High NA EUV光刻機生產(chǎn)內(nèi)存芯片。

EUV隨便買就是任性 SK海力士DDR5內(nèi)存用上6層EUV

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