7月安卓手機(jī)性能榜：紅魔8S Pro再奪榜首
7月份的手機(jī)市場(chǎng)風(fēng)平浪靜，除了紅魔和努比亞帶來(lái)了兩款搭載驍龍8Gen2領(lǐng)先版處理器的新機(jī)之外，別的也想不到有什么新品了，這也正常，通常6月7月都是手機(jī)廠商修整的時(shí)間，進(jìn)入8月份之
快科技8月11日消息，邏輯芯片在進(jìn)入5nm節(jié)點(diǎn)之后全面使用了EUV工藝，存儲(chǔ)芯片使用DUV工藝為主，這四五年才剛開(kāi)始嘗試EUV工藝，現(xiàn)在SK海力士公司更為激進(jìn)，新一代DDR5將使用6層EUV光刻。
大家都知道，相比于DUV光刻，EUV光刻的13.5nm波長(zhǎng)更短，光刻精度更高，有助于提告密度，減少工藝復(fù)雜性，以往需要多次光刻的步驟在EUV上可能一次就夠了，這對(duì)DRAM內(nèi)存芯片來(lái)說(shuō)也是適用的。
三星早在2020年就率先宣布在內(nèi)存芯片中使用EUV光刻，美光隨后也跟上了，SK海力士晚了一年在2021年才宣布在第四代10nm級(jí)工藝上使用EUV光刻，不過(guò)之前DRAM芯片往往只使用了1層EUV光刻。
現(xiàn)在SK海力士要加碼EUV，第六代10nm級(jí)DDR5芯片（1c DRAM）將全面改進(jìn)光刻工藝，EUV光刻層數(shù)將提升到5層以上，也就是6層起步，并且在未來(lái)的1d、0a級(jí)別內(nèi)存上全面使用EUV光刻。
不過(guò)首發(fā)的產(chǎn)品規(guī)格并不高，DDR5內(nèi)存的顆粒還是16Gb的，并沒(méi)有太過(guò)追求容量提升，還是主流水平。
除了DDR5內(nèi)存芯片，HBM家族的芯片未來(lái)也會(huì)大量使用EUV光刻工藝，SK海力士希望用技術(shù)優(yōu)勢(shì)讓對(duì)手追無(wú)可追，希望甩開(kāi)三星的意圖很明顯。
不僅如此，SK海力士還在下一代的EUV光刻機(jī)——High NA EUV上押注頗多，后者的NA數(shù)值孔徑從當(dāng)前EUV的0.33提升到0.55，精度更高，不過(guò)光刻機(jī)的價(jià)格也貴了很多，從1.5-2億美元暴漲到4億美元甚至更高。
SK海力士計(jì)劃從2026年開(kāi)始使用High NA EUV光刻機(jī)生產(chǎn)內(nèi)存芯片。
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