容量越大越不壞？24萬塊硬盤故障率報(bào)告公布 這些產(chǎn)品零故障
8月5日消息，云存儲(chǔ)服務(wù)商Backblaze發(fā)布了最新的硬盤故障率報(bào)告，年故障率有所上升。Backblaze發(fā)布的硬盤季度統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，其中包括故障率等重要方面。這些結(jié)
8月9日消息，分析師郭明錤透露，高通驍龍8 Gen4會(huì)采用3nm工藝。由于臺(tái)積電3nm成本高昂，智能手機(jī)需求在持續(xù)下滑，因此高通考慮臺(tái)積電、三星雙代工模式。
此前在2015年，蘋果A9芯片就采用了臺(tái)積電、三星雙代工模式，當(dāng)時(shí)A9芯片臺(tái)積電版本是16nm工藝，三星版本是14nm工藝。
現(xiàn)在高通驍龍8 Gen4有可能會(huì)效仿蘋果，據(jù)爆料，臺(tái)積電版本的驍龍8 Gen4采用N3E工藝，三星版本的驍龍8 Gen4則是采用3nm GAA制程工藝。
據(jù)悉，三星是全球第一個(gè)成功將GAA技術(shù)應(yīng)用到量產(chǎn)的3nm芯片當(dāng)中的晶圓代工廠商，雖然臺(tái)積電也已量產(chǎn)3nm工藝，但是其依然是基于FinFET晶體管架構(gòu)，臺(tái)積電會(huì)在2nm制程工藝上才會(huì)采用GAA技術(shù)。
根據(jù)官方披露的信息，GAA FET架構(gòu)的晶體管提供了比FinFET更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求。這意味著在同等尺寸結(jié)構(gòu)下，GAA的溝道控制能力比FinFET更強(qiáng)，尺寸可以進(jìn)一步微縮。
基于此，業(yè)界認(rèn)為倘若高通驍龍8 Gen4部分訂單交由三星代工，那么基于三星3nm GAA技術(shù)的驍龍8 Gen4表現(xiàn)將會(huì)優(yōu)于臺(tái)積電版本。
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