財(cái)聯(lián)社9月22日訊(編輯 卞純)據(jù)周一市場(chǎng)消息,由于供應(yīng)緊張,三星對(duì)其DRAM和NAND閃存產(chǎn)品進(jìn)行了大幅提價(jià),部分產(chǎn)品提價(jià)幅度高至30%。
這也使得三星成為繼美光和閃迪之后,最新一家上調(diào)內(nèi)存和閃存產(chǎn)品價(jià)格的存儲(chǔ)巨頭。
消息稱,三星DRAM產(chǎn)品的漲價(jià)幅度高達(dá)30%,NAND閃存產(chǎn)品的漲價(jià)幅度在5%-10%。受影響的DRAM產(chǎn)品包括LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品,NAND閃存產(chǎn)品包括eMMC和UFC產(chǎn)品。
據(jù)悉,三星此次提價(jià)的原因是供應(yīng)緊張,而供應(yīng)緊張是由于老款產(chǎn)品產(chǎn)量減少以及大型云企業(yè)需求增加造成的。
目前,三星在DRAM和NAND市場(chǎng)的占有率分別為32.7%和32.9%。
存儲(chǔ)巨頭掀起漲價(jià)潮
近期,全球存儲(chǔ)巨頭接連漲價(jià)。
9月13日有消息稱,美光高層觀察到,客戶需求預(yù)測(cè)顯示重大供應(yīng)短缺,因此公司決定緊急暫停所有產(chǎn)品報(bào)價(jià),重新調(diào)整后續(xù)價(jià)格。美光已通知客戶,DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存儲(chǔ)產(chǎn)品全部停止報(bào)價(jià),報(bào)價(jià)暫停時(shí)間一周,且相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格或?qū)⒄{(diào)漲20%-30%。此次涉及的不僅是消費(fèi)級(jí)與工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品,汽車電子產(chǎn)品漲幅更高,預(yù)計(jì)達(dá)70%。
此前,NAND閃存原廠閃迪宣布,針對(duì)全部渠道通路和消費(fèi)類產(chǎn)品的價(jià)格執(zhí)行10%普漲。公司表示,在AI應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心、客戶端、移動(dòng)三領(lǐng)域均出現(xiàn)日益增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求的背景下,NAND閃存產(chǎn)品需求強(qiáng)勁。未來公司將繼續(xù)定期進(jìn)行價(jià)格評(píng)估,并可能在未來幾個(gè)季度作出進(jìn)一步調(diào)整。
本輪漲價(jià)潮反映出存儲(chǔ)芯片行業(yè)正經(jīng)歷結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)變。在AI熱潮下,三星等存儲(chǔ)大廠紛紛將重心轉(zhuǎn)向AI PC和下一代智能手機(jī)等新興市場(chǎng),以及HBM等高利潤(rùn)產(chǎn)品領(lǐng)域,導(dǎo)致傳統(tǒng)產(chǎn)品供應(yīng)收縮。
眼下,各大存儲(chǔ)大廠正爭(zhēng)先恐后地投身AI賽道,優(yōu)先為英偉達(dá)、AMD的AI加速器供應(yīng)最新產(chǎn)品。HBM的優(yōu)先級(jí)高于消費(fèi)級(jí)DRAM,加劇了后者供應(yīng)緊張。
摩根士丹利預(yù)計(jì),隨著HBM市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇,傳統(tǒng)DRAM和NAND產(chǎn)品有望在2026年迎來更可持續(xù)增長(zhǎng)。
就在三星漲價(jià)消息傳出之際,該公司的12層HBM3E芯片產(chǎn)品終于通過英偉達(dá)認(rèn)證測(cè)試,這意味著這家芯片巨頭在全球AI芯片賽道上取得了重要突破。
周一,三星電子股價(jià)收漲4.77%,報(bào)83500韓元,盤中一度上漲5%至83400韓元,創(chuàng)下過去一年以來新高。
(財(cái)聯(lián)社 卞純)
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