據(jù)韓媒ET News和ZDNet Korea報道，在韓國舉辦的AI半導體早餐論壇上，三星存儲器事業(yè)部DRAM設(shè)計團隊負責人孫教民以“面向AI時代的DRAM解決方案”為題發(fā)表演講，介紹了三星在下一代DRAM技術(shù)上的最新進展。
目前，三星正開發(fā)多種新型DRAM解決方案，其中包括結(jié)合NAND Flash與CXL（Compute Express Link）模塊的混合存儲器結(jié)構(gòu)。這種混合結(jié)構(gòu)被稱為“CMM-Hybrid”，通過在DRAM模塊中加入NAND存儲器，可顯著提升存儲容量，同時實現(xiàn)傳統(tǒng)DRAM無法支持的新應(yīng)用。孫教民指出，這種技術(shù)具有很高的發(fā)展?jié)摿Γ軌驖M足AI產(chǎn)業(yè)對高性能存儲器的需求。
目前已商業(yè)化的CXL 1.1和2.0版本基于存儲器模塊CMM-D，搭載具備CXL功能的DRAM。而CMM-Hybrid作為下一代解決方案，正在通過FPGA原型進行驗證，目標是在2027年實現(xiàn)商業(yè)化。此外，三星還在研發(fā)多種形態(tài)的存儲器技術(shù)，以應(yīng)對主機CPU與存儲器間傳輸帶寬及容量的限制。
孫教民還提到，高帶寬存儲器（HBM）雖在服務(wù)器領(lǐng)域持續(xù)受到關(guān)注，但其高成本和高功耗限制了應(yīng)用場景。相比之下，LPDDR-PIM與CXL等技術(shù)成為更具性價比的解決方案。LPDDR6規(guī)格的開發(fā)也已進入討論階段，三星正與聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會（JEDEC）密切合作，推動相關(guān)技術(shù)標準化。

CXL作為一種新興互連技術(shù)，被業(yè)界視為突破傳統(tǒng)存儲器架構(gòu)瓶頸的重要方案。通過PCIe通道擴展存儲器容量，CXL能夠?qū)崿F(xiàn)CPU、GPU、存儲器擴展模塊和存儲裝置的高效協(xié)同運作，顯著提升數(shù)據(jù)處理效率。這一技術(shù)正在為AI時代的存儲器需求提供全新的解決路徑。

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