據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子近日明確表示，將在第七代10nm級(jí)DRAM內(nèi)存工藝（1d nm）之后導(dǎo)入垂直通道晶體管（VCT）技術(shù)。相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在2至3年內(nèi)推出，這標(biāo)志著DRAM技術(shù)將迎來(lái)一次重大革新。
三星在1d nm工藝之后的研發(fā)方向上，曾面臨兩種選擇：1e nm工藝與VCT DRAM技術(shù)。最終，三星選擇了更具創(chuàng)新潛力的VCT技術(shù)，并將原1e nm團(tuán)隊(duì)整合至1d nm項(xiàng)目組，以集中資源加速開(kāi)發(fā)進(jìn)程。
VCT DRAM通過(guò)三維空間的高效利用，大幅提升了存儲(chǔ)密度，但其開(kāi)發(fā)難度也極高。該技術(shù)需要突破傳統(tǒng)內(nèi)存的技術(shù)限制，并采用更為先進(jìn)的封裝工藝。業(yè)內(nèi)人士指出，這一技術(shù)的突破或?qū)槿窃贒RAM市場(chǎng)帶來(lái)顯著競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
報(bào)道稱，隨著VCT技術(shù)的引入，三星有望進(jìn)一步鞏固其在半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，同時(shí)推動(dòng)DRAM技術(shù)向更高性能和更高密度方向邁進(jìn)。

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