據韓媒Theelec援引業界消息，三星電子計劃在2025年6月完成對供應給NVIDIA的第五代高帶寬存儲器（HBM3E）的品質測試（Qual test）。這一認證過程已歷時一年多，進展緩慢，能否順利完成備受關注。
三星在2025年3月已通過NVIDIA對其溫陽園區的封裝測試審核（audit），達到了最低要求。溫陽園區是三星在韓國的后段制程專業基地，負責DRAM、NAND Flash及CMOS影像傳感器（CIS）等產品的封裝測試。封裝測試審核主要檢查芯片的電氣與物理特性、發熱與壽命等可靠性，以及異常發生時的應對流程。
由于通過了封裝測試審核，三星內部對通過品質測試抱有較高期待，并全力推動相關工作。目前，NVIDIA的高端人工智能（AI）加速器采用的是12層HBM3E，由SK海力士與美光供應，而三星正努力爭取通過NVIDIA的認證。
在HBM市場上落后，三星的半導體業績也受到影響。數據顯示，三星半導體暨裝置解決方案（Device Solutions；DS）部門的營業利潤從2024年第二季度的6.5萬億韓元（約45億美元）下降至第三季度的3.9萬億韓元，第四季度進一步降至2.9萬億韓元。
市調機構Counterpoint Research數據顯示，2025年第一季度，SK海力士以36%的銷售額占據全球DRAM市場第一，三星以34%退居第二，這是三星33年來首次失去領先地位。
值得注意的是，三星通過品質測試的目標時間點，與三星副會長全永鉉上任滿一年的時間點相近。自2024年5月上任以來，全永鉉將“重振DRAM業務競爭力”作為核心目標，并兼任存儲器事業部長，親自領導HBM新一代產品的開發。
2025年2月，全永鉉親自攜帶10納米級第五代（1b）DRAM的改良樣品前往美國拜訪NVIDIA。對于第六代產品HBM4，三星決心奪回市場主導權。全永鉉表示，三星將加快12層HBM3E的市場供應速度，并積極回應HBM4等新一代產品的客戶需求。
據三星相關人士透露，基于10納米級第六代（1c）DRAM的HBM4正以2025年下半年量產為目標進行開發。業界預測，首次采用混合鍵合（Hybrid Bonding）技術的HBM4，預計將在2025年底或2026年初亮相。

本文鏈接：http://m.rrqrq.com/showinfo-27-148409-0.html三星計劃2025年6月通過NVIDIA HBM3E品質測試

聲明：本網頁內容旨在傳播知識，若有侵權等問題請及時與本網聯系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com

上一篇： 華為升騰910D能否挑戰NVIDIA H100？能源效率成關鍵

下一篇： 三星DS部門Q1營收下滑，HBM業務遇挑戰