據(jù)韓媒朝鮮日報報道，聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會（JEDEC）近期在官網(wǎng)公布了第六代高帶寬存儲器（HBM4）的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，其中HBM4的平均高度被設(shè)定為775微米（μm），高于最初討論的720μm。這一調(diào)整為三星電子和SK海力士減輕了技術(shù)導(dǎo)入壓力，使其能夠利用現(xiàn)有DRAM堆疊技術(shù)實現(xiàn)HBM4的量產(chǎn)。
三星與SK海力士計劃在2025年下半年正式量產(chǎn)HBM4。目前，SK海力士已于2025年3月向主要客戶提供了12層HBM4樣品，而三星也計劃從2025年下半年開始量產(chǎn)。此外，美光（Micron）同樣預(yù)計將通過優(yōu)化現(xiàn)有制程參與HBM4的市場競爭。
JEDEC還規(guī)定了HBM4的帶寬為每秒最高2TB（Terabyte），并明確了制造HBM4所需的DRAM堆疊層數(shù)，分別為4層、8層、12層和16層。SK海力士此前提供的12層HBM4樣品已完全符合這一標(biāo)準(zhǔn)。
過去曾有預(yù)測認為，三星與SK海力士可能需要提前導(dǎo)入“混合鍵合（Hybrid Bonding）”等新技術(shù)以滿足原定的720μm高度標(biāo)準(zhǔn)。但JEDEC最終采納了業(yè)界意見，將高度放寬至775μm，從而避免了新技術(shù)導(dǎo)入的緊迫性。這一調(diào)整或?qū)⒓觿BM4市場的競爭態(tài)勢。

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