當地時間4月23日，臺積電在美國舉辦的“2025年北美技術研討會”上宣布，其性能增強版N3P制程將于2024年第四季度啟動量產，而更為先進的N3X芯片預計在今年下半年進入量產階段。
據臺積電介紹，N3P是在現有N3E基礎上的光學縮減版本，設計規則與IP兼容性保持一致。在相同漏電率下，N3P可提升5%的性能，或在相同頻率下降低5%至10%的功耗。此外，對于典型混合邏輯、SRAM與模擬電路設計，N3P還能帶來約4%的晶體管密度提升。由于其密度提升源于光學制程改良，因此可實現對所有芯片結構的更優擴展，尤其適合以SRAM為主的高性能設計。同時，N3P繼續支持3nm級別的客戶端和數據中心IP。
臺積電透露，N3P制程目前已進入量產階段，公司正在為關鍵客戶進行產品開發與布局。而下一代N3X制程在相同功耗下可將最高性能提升5%，或在相同頻率下降低7%的功耗。N3X的關鍵優勢在于支持高達1.2V的電壓，這對需要極限頻率的應用（如客戶端CPU）尤為重要。然而，高電壓也伴隨著代價，漏電功耗可能增加高達250%，因此開發者在設計N3X芯片時需謹慎權衡。
臺積電業務發展與全球銷售資深副總裁兼副營運長張曉強表示，N3P已于2024年底開始量產，公司將繼續優化3nm制程。臺積電的策略是通過持續增強新節點，幫助客戶充分利用制程縮減的效益。他強調，客戶在遷移到新節點時需投入大量資金開發IP，因此臺積電致力于讓客戶在每個新制程投資中獲得回報，并在產品層面提供支持。

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