近日，英飛凌推出了一款全新的CoolGaN? G5中壓晶體管，這是全球首款集成肖特基二極管的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該系列產品通過減少死區損耗，顯著提升功率系統的性能和整體效率，同時也簡化了功率級設計，降低了用料成本。

在硬開關應用中，GaN器件由于其有效體二極管電壓（VSD）較高，可能導致功率損耗增加。特別是在控制器死區時間較長的情況下，效率會低于預期。目前，功率器件設計工程師通常采用外部肖特基二極管與GaN晶體管并聯，或通過控制器縮短死區時間來解決這一問題。然而，這些方法不僅增加了設計復雜性，還提高了時間和成本投入。英飛凌此次推出的CoolGaN? G5晶體管通過集成肖特基二極管，有效解決了這一難題，廣泛適用于服務器、電信中間總線轉換器（IBC）、DC-DC轉換器、USB-C電池充電器同步整流器、高功率電源（PSU）以及電機驅動等場景。
英飛凌科技中壓GaN產品線副總裁Antoine Jalabert表示：“隨著GaN技術在功率設計中的應用日益廣泛，英飛凌持續改進技術，以滿足客戶不斷變化的需求。此次推出的CoolGaN? G5晶體管，正是我們以客戶為中心的創新成果，進一步推動了寬禁帶半導體材料的發展。”
由于GaN晶體管缺乏體二極管，其反向傳導電壓（VRC）受閾值電壓（VTH）和關斷態下的柵極偏置電壓（VGS）影響。而GaN晶體管的VTH通常高于硅二極管的導通電壓，導致反向傳導工作（也稱為第三象限）期間存在劣勢。采用新型CoolGaN?晶體管后，反向傳導損耗顯著降低，兼容性更廣，且由于死區時間放寬，控制器的設計變得更加靈活和簡化。
據悉，首款集成肖特基二極管的GaN晶體管采用3 x 5 mm PQFN封裝，規格為100 V 1.5 mΩ，性能表現優異，為行業帶來了全新的解決方案。據英飛凌透露，這一創新將進一步鞏固其在GaN技術領域的領先地位。

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