據韓媒Deal Site援引三星電子（Samsung Electronics）內部消息人士透露，原定于2025年7月進行的1c DRAM樣品生產測試可能因重新設計過程中遇到困難而推遲至2025年10月。目前良率狀況尚不明確，這一延遲可能進一步影響三星計劃于2025年下半年量產基于1c DRAM的HBM4。
三星在推動1c DRAM重新設計時，選擇部分放棄成本競爭力，轉而優先確保良率。這一策略與過去注重生產效率的思路截然不同。此前，三星在引入極紫外光（EUV）微影設備時，更注重生產效率而非穩定性。然而，從1z DRAM開始，電容器漏電問題逐漸顯現。三星通過增加電容器長度并減少厚度來提高生產效率，但這種設計也導致電容器存儲電流的空間減少，從而增加了穩定性風險。
目前，三星正嘗試通過增加電容器厚度、降低高度等方式改善其結構，但這一過程頗具挑戰。與此同時，三星擴大了1c DRAM的芯片尺寸，以降低制造難度。芯片尺寸增大意味著電路繪制范圍更廣，從而減少電路間干擾，為重新設計提供更多便利。
此外，三星還減少了1c DRAM中EUV的使用層數，從最初的8~9層減少至6~7層，降幅約為30%。這一調整不僅旨在提升制程穩定性，還試圖部分抵消因芯片尺寸擴大而導致的成本競爭力下滑。然而，即便采取了這些措施，穩定性仍未達到預期水平。
對于上述傳聞，三星相關人士回應稱，1c DRAM的開發正按計劃順利推進。不過，如果延遲傳聞屬實，三星與競爭對手的技術差距可能進一步擴大。

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