近期，芯盟科技位于浙江省龍游縣經(jīng)濟開發(fā)區(qū)的高等級功率半導體廠房項目順利通過竣工驗收。據(jù)微龍游消息，該項目總投資超過5100萬元，建筑面積達25000多平方米，主體建筑包括廠房、綜合樓、門衛(wèi)、材料庫及室外附屬配套，總計5層。
芯盟科技是全球首家研發(fā)出垂直溝道三維存儲器并實現(xiàn)商業(yè)化的企業(yè)，其3D異構(gòu)集成HITOC?鍵合技術可實現(xiàn)線寬0.9μm，芯片連接點數(shù)超過100萬個，鍵合密度處于全球領先地位。
該項目主要涵蓋IGBT芯片、IGBT大功率模塊和分立器件的生產(chǎn)，同時積極布局碳化硅功率器件領域。預計建成后，年產(chǎn)能可達300萬只高等級功率半導體模塊。
近期，芯盟科技還接連申請了兩項技術專利。3月19日，公司向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交了一項名為“動態(tài)隨機存儲器及其讀操作方法、電子設備”的專利，公開號為CN119626287A。該專利通過優(yōu)化DRAM設計，顯著提高了存儲器的感應裕度和讀出性能。4月5日，芯盟科技獲得了一項名為“半導體器件及其制造方法”的專利，授權(quán)公告號為CN113629011B。該專利涉及創(chuàng)新材料和工藝，有望提升半導體器件的耐用性和能效，廣泛應用于智能設備、通信基礎設施及消費電子等領域。
圖源：微龍游

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