近日，德國半導體企業(yè)Neumonda與鐵電存儲器公司（FMC）宣布達成戰(zhàn)略合作，計劃在德國德累斯頓建設一條新型非易失性存儲芯片（FeRAM）生產(chǎn)線，這標志著歐洲在存儲芯片領域本土化生產(chǎn)的重新布局。
據(jù)媒體報道，此次合作的核心是FMC研發(fā)的“DRAM+”技術。該技術采用10nm以下制程兼容的鉿氧化物（HfO2）作為鐵電層，替代傳統(tǒng)的鋯鈦酸鉛（PZT）材料，成功突破了傳統(tǒng)FeRAM的存儲容量限制。新技術將存儲容量從過去的4-8MB大幅提升至Gb-GB級別，同時保留了斷電數(shù)據(jù)不丟失的特性，被認為在人工智能、醫(yī)療、工業(yè)、汽車和消費電子領域具有廣泛應用前景。
根據(jù)雙方協(xié)議，Neumonda將為FMC提供存儲器設計和測試方面的咨詢服務，并支持其非易失性DRAM+產(chǎn)品的開發(fā)。Neumonda擁有多項DRAM存儲器相關專利，其Rhinoe、Octopus和Raptor測試平臺將為項目提供技術支持。
這是自2009年英飛凌與奇夢達的德國DRAM工廠破產(chǎn)關停以來，歐洲首次嘗試重啟存儲芯片的本土化生產(chǎn)。FMC首席執(zhí)行官Thomas Rueckes表示，鉿氧化物的鐵電效應能夠將DRAM電容轉變?yōu)榉且资源鎯卧诒３指咝阅艿耐瑫r實現(xiàn)低功耗，非常適合AI運算對持久內存的需求。
Neumonda首席執(zhí)行官Peter Poechmueller則強調，此次合作是重建德國存儲芯片產(chǎn)業(yè)的重要一步，未來將推動歐洲在高端存儲技術領域的自主發(fā)展。

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