4月8日，士蘭微發(fā)布公告，詳細披露了其碳化硅（SiC）項目的最新動態(tài)。據(jù)公告顯示，士蘭微的“士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項目已實現(xiàn)月產(chǎn)9,000片的生產(chǎn)能力。公司自主研發(fā)的第Ⅱ代SiC-MOSFET芯片已成功應用于電動汽車主電機驅動模塊，累計向4家國內車企交付5萬只。隨著產(chǎn)能逐步釋放，相關產(chǎn)品已進入大批量交付階段。此外，士蘭微已完成第Ⅳ代平面柵SiC-MOSFET技術開發(fā)，其性能指標接近溝槽柵SiC器件水平。目前，第Ⅳ代芯片已送客戶評測，預計2025年實現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)。
在8英寸SiC領域，士蘭微的“士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項目也取得重要進展。士蘭集宏8英寸mini line已成功通線，Ⅱ代SiC芯片在8英寸產(chǎn)線上試流片成功，其參數(shù)表現(xiàn)與6英寸產(chǎn)品匹配，且良品率顯著提升。士蘭集宏主廠房及其他建筑已完成封頂，正在進行凈化裝修，預計2025年第四季度全面通線并試生產(chǎn)，以應對2026年車用SiC市場的快速增長需求。
士蘭微成立于1997年，總部位于杭州高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，是國內集成電路設計行業(yè)的領軍企業(yè)。公司采用IDM模式，產(chǎn)品涵蓋功率半導體、傳感器、MCU和LED等多個領域。近年來，士蘭微在SiC領域加速布局，通過“雙線作戰(zhàn)”策略，快速響應市場需求并瞄準未來車規(guī)級芯片市場。此外，公司通過多輪增資優(yōu)化資本結構，如將子公司“士蘭集宏”注冊資本增至42.1億元，并與廈門半導體共同增資16億元擴建士蘭集科。

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