據媒體報道，三星電子近期啟動了1nm晶圓代工工藝的研發工作。由于在即將量產的2nm工藝上與臺積電存在明顯差距，三星希望通過加快1nm級工藝的開發，爭取在未來實現技術突破。
據9日業界消息，三星電子半導體研究所已組建了一支專門團隊，負責1nm工藝的開發工作。團隊成員主要由參與2nm等前沿工藝研發的研究員組成。根據三星此前公布的晶圓代工路線圖，其計劃在2027年量產的1.4nm工藝目前被視為最尖端技術。
1nm工藝的研發面臨諸多挑戰，包括需要突破現有設計框架的技術創新，以及引入高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）光刻機等下一代設備。據透露，三星將1nm工藝的量產時間定在2029年之后。
在3nm和2nm領域，三星的技術水平與臺積電仍有差距。特別是在2nm工藝上，臺積電的良率已超過60%，而三星則相對落后。這一差距促使三星提前布局1nm工藝的研發。
與此同時，臺積電也在加速推進1nm級工藝的開發。據臺積電去年4月透露，公司計劃在2026年下半年開始生產介于1.4nm和2nm之間的1.6nm（16A）技術，以滿足人工智能（AI）半導體市場的需求，并為下一代工藝奠定基礎。

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