創意電子于4月2日宣布，成功完成HBM4控制器與實體層（PHY）半導體IP的投片。這款芯片采用了臺積電的N3P制程技術，并結合CoWoS-R先進封裝技術，實現了性能的顯著提升。
據創意電子透露，HBM4 IP支持高達12Gbps的數據傳輸速率。通過創新的中介層（interposer）布局設計，優化了信號完整性（SI）與電源完整性（PI），確保HBM4在多種CoWoS技術下都能穩定運行于高速模式。相比HBM3，HBM4 PHY的帶寬提升了2.5倍，功耗效率提高了1.5倍，面積效率更是提升了2倍。
此外，創意電子表示，HBM4 IP將繼續與proteanTecs在HBM、Glink與UCIe IP領域展開技術合作。HBM4 IP還整合了proteanTecs的互連監測解決方案，提供HBM聯機信號的可觀測性與電氣特性分析，從而進一步提升終端產品的性能與可靠性。
創意電子總經理戴尚義表示，公司很自豪成為全球首家成功投片12Gbps HBM4控制器與PHY IP的企業。未來，創意電子將繼續提供業界領先的2.5D/3D IP與服務，通過整合HBM4、UCIe-A與UCIe-3D IP，為半導體產業提供全面性解決方案，以滿足市場不斷演進的需求。
HBM4 IP的設計亮點包括：在所有sign-off PVT條件下均可達到12Gbps；高總線利用率，隨機讀寫存取時可達約90%；創新中介層（interposer）布局設計，確保各類CoWoS技術下的最佳SI/PI表現；內建由proteanTecs提供的每通道實時I/O及clock能效與健康監測電路。
該里程碑進一步強化了創意電子在先進IP領域的布局，將HBM4納入HBM3/3E、32Gbps UCIe-A及UCIe-3D IP等解決方案之列，共同構成完整的2.5D與3D解決方案，為客戶提供強大支持，以應對AI、高性能運算（HPC）等最具挑戰性的應用需求。

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