3月14日，英飛凌在2025消費、計算與通訊創新大會（ICIC 2025）上，圍繞AI、機器人、邊緣計算及氮化鎵應用等熱點話題展開深入探討。會上，英飛凌首次在中國展示了兩款突破性技術成果——300mm氮化鎵功率半導體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓。
英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區總裁潘大偉參觀兩款首次在中國實體展示的晶圓
英飛凌在氮化鎵技術領域取得顯著進展，其300mm氮化鎵功率半導體晶圓已實現量產突破。新一代中壓CoolGaN?器件將系統效率提升至96%，大幅降低數據中心、電信及家電領域的能耗與成本。此外，英飛凌推出的20μm超薄硅晶圓技術，顯著提高了功率轉換解決方案的能效、功率密度和可靠性，為行業帶來全新技術選擇。
在硅基半導體領域，英飛凌發布了CoolMOS? 8高壓超結（SJ）MOSFET系列產品，覆蓋從低功率到高功率的消費類和工業應用。作為寬禁帶半導體的高性價比替代方案，CoolMOS? 8不僅提升了功率密度，還確保了器件的可靠性，同時兼容CoolMOS? 7，支持600V和650V兩種電壓等級。
此外，英飛凌還推出了PSOC? Control C3 MCU，這是一款基于Arm? Cortex?-M33的高性能微控制器，頻率最高可達180MHz。在ModusToolbox?工具和軟件的支持下，該產品為電機控制和功率轉換系統提供了高效、可靠且安全的解決方案，適用于家用電器、智能家居及光伏逆變器等場景。
英飛凌將機器人視為未來高增長潛力的核心領域，提供從電源產品、傳感器、微控制器到連接芯片和電機驅動的全棧解決方案。其創新技術賦能機器人實現智能化、高效化和輕量化。例如，基于CoolGaN?的驅動系統使雙足機器人的動態響應速度提升25-50%。據英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區總裁潘大偉介紹，氮化鎵技術在機器人關節中的應用可顯著縮小系統體積、減輕重量，并延長電池續航能力。

英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區總裁潘大偉表示，2025年是英飛凌進入中國市場的30周年。未來，英飛凌將繼續深化“在中國、為中國”的本土化戰略，圍繞運營、創新、生產及生態等方面，為客戶創造更多價值。英飛凌計劃擴大MCUs、MOSFETs等通用半導體產品的本地化生產，以滿足新能源、汽車、工業控制及消費電子等領域的需求。
英飛凌還與本土企業合作開發定制化方案，如為某頭部企業設計的模塊化關節控制器，集成驅動、傳感與安全功能，成本降低20%。通過全流程支持，英飛凌助力客戶加速產品上市周期，推動機器人、AI數據中心及邊緣計算等領域的創新發展。

本文鏈接：http://m.rrqrq.com/showinfo-27-140348-0.html英飛凌展示氮化鎵與機器人創新技術

聲明：本網頁內容旨在傳播知識，若有侵權等問題請及時與本網聯系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com

上一篇： 華潤微新任董事長何小龍上任，將推動功率半導體業務發展

下一篇： 漢王科技2024年營收18.17億元，虧損收窄