隨著AI、云端運(yùn)算和高速資料中心需求的不斷增長(zhǎng)，光子積體電路（PIC）已成為提高資料傳輸效率的關(guān)鍵技術(shù)。矽光子技術(shù)因與CMOS制程的高相容性以及成本優(yōu)勢(shì)，成為市場(chǎng)主流選擇。
據(jù)法人分析，多種材料在矽光子技術(shù)中并非互相取代，而是協(xié)同作用以增強(qiáng)性能。矽光子技術(shù)依托成熟的半導(dǎo)體制造設(shè)施，實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，并與電子元件高效整合。然而，由于矽材料本身電光效應(yīng)較弱，需引入薄膜鈮酸鋰或鈦酸鋇等材料來提升調(diào)變器性能。
此外，磷化銦因具備較高功率，能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)距離高速傳輸，因此在800G熱插拔光模組中，以磷化銦為材料的EML雷射占據(jù)主要地位。即便在當(dāng)前矽光模組中，磷化銦材料的CW雷射仍不可或缺。
綜上所述，多種材料的應(yīng)用旨在優(yōu)化性能與整合能力，而非簡(jiǎn)單的取代關(guān)系。這種技術(shù)協(xié)同將為高速資料傳輸提供更高效的解決方案。

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