據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，SK海力士預(yù)計(jì)將為英偉達(dá)Blackwell Ultra架構(gòu)芯片提供第五代12層HBM3E芯片。這款芯片自去年9月開始量產(chǎn)，是全球首款實(shí)現(xiàn)36GB最大容量的產(chǎn)品，運(yùn)行速度可達(dá)9.6Gbps。數(shù)據(jù)顯示，如果大型語言模型Llama 3 70b由單個(gè)搭載4個(gè)HBM3E芯片的GPU驅(qū)動(dòng)，每秒可讀取總計(jì)700億個(gè)參數(shù)35次。
與此前同等厚度的8層產(chǎn)品相比，12層HBM3E芯片的容量提升了50%。SK海力士通過將每個(gè)DRAM芯片厚度減少40%，并采用TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)垂直堆疊，成功優(yōu)化了產(chǎn)品性能。此外，公司還應(yīng)用了核心技術(shù)Advanced MR-MUF工藝，解決了因堆疊更薄芯片帶來的結(jié)構(gòu)問題。新一代產(chǎn)品不僅散熱性能比上一代提升了10%，還通過增強(qiáng)翹曲控制進(jìn)一步確保了穩(wěn)定性和可靠性。這一技術(shù)突破為高性能計(jì)算和人工智能應(yīng)用提供了重要支持。

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