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Agnitron在兩所大學(xué)安裝MOCVD系統(tǒng)

來源：責(zé)編：時間：2023-08-07 10:56:18 399觀看

導(dǎo)讀加州大學(xué)圣巴巴拉分校將生長Ga2O3，用于功率器件和射頻器件，而圣母大學(xué)將生產(chǎn)SiC芯片，用于量子計算Agnitron Technology總部位于明尼蘇達州，是一家專業(yè)MOCVD公司，今年夏季在美國兩所大學(xué)安裝了定制系統(tǒng)。一個是加州大學(xué)圣巴

加州大學(xué)圣巴巴拉分校將生長Ga₂O₃，用于功率器件和射頻器件，而圣母大學(xué)將生產(chǎn)SiC芯片，用于量子計算

Agnitron Technology總部位于明尼蘇達州，是一家專業(yè)MOCVD公司，今年夏季在美國兩所大學(xué)安裝了定制系統(tǒng)。一個是加州大學(xué)圣巴巴拉分校，利用該系統(tǒng)生長超寬帶隙(UWBG) Ga₂O₃，用于功率器件和射頻器件。另一個是印第安納州圣母大學(xué)，利用該系統(tǒng)開發(fā)寬帶隙(WBG) SiC器件，用于量子計算。

2023年7月，Agnitron在加州大學(xué)圣巴巴拉分校安裝了研發(fā)氧化鎵的MOCVD Agilis 100系統(tǒng)，并證明該系統(tǒng)達標。Agnitron和加州大學(xué)圣巴巴拉分校已經(jīng)在類似領(lǐng)域合作了5年多，但新安裝的系統(tǒng)意味著，加州大學(xué)圣巴巴拉分校可以自主生長材料，從而獲得更強的靈活性和創(chuàng)新性。

加州大學(xué)圣巴巴拉分校的Agnitron Agilis 100系統(tǒng)具有六個金屬有機通道、兩條氧化前體線和硅摻雜能力，在高達1100°C的襯底工藝溫度下，可以進行生長。該系統(tǒng)采用第二代遠程注入，附加了近距離注入噴頭，還擁有用來控制生長參數(shù)的原位高溫測量和反射測量，以及Agnitron最新的軟件控制平臺Imperium。

據(jù)該公司稱，與其他技術(shù)相比，該系統(tǒng)顯著減少了氣相反應(yīng)，且在直徑兩英寸的晶圓上具有出色的厚度均勻性。此外，Agnitron表示Agilis 100 MOCVD平臺也可以輕松轉(zhuǎn)換，用來生長GaN外延層和AlN外延層。

領(lǐng)導(dǎo)加州大學(xué)圣巴巴拉分校Ga₂O₃研究的Sriram Krishnamoorthy教授表示：“我們期待與Agnitron合作，以進一步開發(fā)超寬帶隙Ga₂O₃，合金和異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延層，并將其轉(zhuǎn)化為可創(chuàng)紀錄的器件性能。我們之前在猶他大學(xué)使用過Agnitron Agilis氧化鎵MOCVD系統(tǒng)，我們很高興能夠重復(fù)并改善這一經(jīng)驗，獲得品質(zhì)最高的外延薄膜。”

Agnitron銷售副總監(jiān)Paul Fabiano評論道：“我們很高興與加州大學(xué)圣巴巴拉分校在UWBG材料方面進行合作。對于未來的射頻器件技術(shù)和功率器件技術(shù)來說，MOCVD Agilis 100系統(tǒng)是一個至關(guān)重要，且不斷擴展的材料系統(tǒng)。”

此外，今年夏季，Agnitron向圣母大學(xué)工程學(xué)院交付了MOCVD/CVD工具。該系統(tǒng)名為Agilis Mini，將開發(fā)SiC器件，用于量子計算。Agnitron總裁兼首席執(zhí)行官Andrei Osinsky表示：“Agnitron今年推出了Agilis Mini，與Agilis 100相同，Agilis Mini為研究團隊提供了最先進的屬性，但其預(yù)算更為有限。隨著時間的推移，該工具可以通過其他技術(shù)得到增強和升級。然而，Agilis Mini開箱即用，可以滿足客戶當(dāng)前的研發(fā)需求。”

圣母大學(xué)的chris Henkle表示：“我們需要一種新型工具來制造品質(zhì)最高的SiC，用于量子互連。之所以選擇Agnitron的Mini-Agilis，是因為該公司的聲譽和工具設(shè)計，其中工具設(shè)計能為使用壽命長的量子位提供所需純度。”

圣母大學(xué)的工程潔凈室正在安裝該工具。其所在建筑中還設(shè)有許多其他類型的半導(dǎo)體設(shè)備和實驗室，供學(xué)生和教師使用。

【近期會議】

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