一加Ace2 Pro官宣：普及16G內(nèi)存 引領(lǐng)24G
一加官方今天繼續(xù)為本月發(fā)布的新機一加Ace2 Pro帶來預熱，公布了內(nèi)存方面的信息。“淘汰 8GB ，12GB 起步，16GB 普及，24GB 引領(lǐng)，還有呢？#一加Ace2Pro#，2023 年 8 月，敬請期待。”同時
快科技9月18日消息，三星多年來是全球大的DRAM內(nèi)存供應商，也是大的NAND閃存供應商，然而這兩年來的發(fā)展并不太順利。
內(nèi)存芯片方面，從DDR5時代就開始被SK海力士逆襲，HBM內(nèi)存更是落后于SK海力士，以致于連續(xù)2個季度被SK海力士趕超，保持了二三十年的內(nèi)存一哥讓位了。
閃存方面，其他廠商現(xiàn)在都開始量產(chǎn)300層以上的TLC、QLC了，三星則被曝出QLC掉鏈子，其第九代V9閃存做到了280層堆棧，去年4月就開始量產(chǎn)，首批是TLC閃存，核心容量做到了1Tb。
2024年9月開始量產(chǎn)V9 QLC閃存了，但是被曝出有質(zhì)量缺陷，性能、延遲都有問題，全面量產(chǎn)V9 QLC閃存至少推遲到了2026年上半年。
三星的旗艦級QLC閃存依然停留在V7這一代，V8這一代也沒有QLC類型閃存。
QLC閃存容量更大，成本也更低一些，因此是AI時代受歡迎的閃存，需求比TLC都要高，三星關(guān)鍵時候掉鏈子，對他們的營收和份額顯然會很不利。
在QLC閃存方面，SK海力士依然是當前的記錄，8月份宣布第一個量產(chǎn)300+層的QLC閃存，達到了321層，并且已經(jīng)開始量產(chǎn)，而且接口速度翻倍，寫入性能還提升了56%，讀取性能也提升了18%。
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