快科技9月3日消息,毫無疑問,中國(guó)一直在努力推進(jìn)國(guó)產(chǎn)化HBM內(nèi)存,畢竟這對(duì)于AI計(jì)算是至關(guān)重要的。
根據(jù)DigiTimes的新報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正積極準(zhǔn)備進(jìn)入DRAM內(nèi)存領(lǐng)域,并尋求與長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)合作,共同攻克HBM內(nèi)存技術(shù)難關(guān)。
報(bào)道稱,雙方堪稱天作之合,因?yàn)殚L(zhǎng)鑫存儲(chǔ)有扎實(shí)的DRAM內(nèi)存技術(shù)基礎(chǔ),長(zhǎng)江存儲(chǔ)則有領(lǐng)先的Xtacing晶棧工藝,理論上也可以用于內(nèi)存的鍵合與封裝,尤其是隨著HBM的不斷迭代,混合封裝是提升帶寬、改進(jìn)散熱的關(guān)鍵所在。
有關(guān)報(bào)告顯示,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在HBM2上取得了重大突破,已經(jīng)給客戶送樣,預(yù)計(jì)明年年中可小規(guī)模量產(chǎn)。
同時(shí),長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)出還在積極推進(jìn)HBM3,預(yù)計(jì)快2026-2027年即可搞定,甚至能同步做到HBM3E。
還有報(bào)道稱,中國(guó)廠商正在HBM技術(shù)上聯(lián)合起來,比如長(zhǎng)江存儲(chǔ)、武漢新芯開發(fā)封裝技術(shù),通富微電子則在組裝環(huán)節(jié)貢獻(xiàn)力量。
相比SK海力士、三星、美光三大原廠,中國(guó)HBM技術(shù)雖然差距依舊很大,但追趕的速度非常快。

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