8 月 11 日消息,據(jù)最新消息,三星 Galaxy S26 Ultra 在內(nèi)存性能方面將實現(xiàn)重大飛躍。爆料人 Ice Universe 透露,該機型將配備美光最新的 LPDDR5X 內(nèi)存,其速度高達 10.7 Gbps,相較于 S25 Ultra 的 9.6 Gbps 顯著提升。

這一內(nèi)存速度的飛躍得益于美光的 1γ(1-gamma)DRAM 架構(gòu),該架構(gòu)相比上一代的 1β(1-beta)架構(gòu),在功耗效率和多任務處理能力上都有大幅提升。這意味著用戶在使用手機時,尤其是在運行高負載任務時,能夠獲得更流暢的性能體驗,同時不會過度消耗電池電量。

據(jù)了解,雖然在日常使用中,這種速度提升可能并不明顯,但在對內(nèi)存帶寬要求極高的場景中,例如大型游戲或多任務切換時,其優(yōu)勢將極為突出。對于游戲玩家和經(jīng)常需要同時運行多個應用程序的用戶來說,這一升級無疑是一個巨大的福音。
此外,三星近年來一直在努力提升其設(shè)備的人工智能能力,而此次的 RAM 升級將在其中發(fā)揮關(guān)鍵作用。Galaxy S26 Ultra 還預計將搭載驍龍 8 Elite 2 芯片,結(jié)合內(nèi)存性能的提升,這款手機的整體性能將遠超前代機型。
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