第四屆GMIF2025創新峰會在深圳萬麗灣酒店落下帷幕。這場以“AI應用，創新賦能”為主題的行業盛會，吸引了全球存儲產業鏈上下游的領軍企業、技術專家與行業領袖齊聚一堂，共同探討人工智能技術驅動下存儲技術的演進方向與產業機遇。峰會期間，三星電子副總裁、Memory事業部首席技術官Kevin Yoon發表了題為《智構AI未來：開啟內存與存儲新紀元》的主題演講，深入剖析了AI時代存儲技術面臨的挑戰與突破路徑，并發布了多項前沿技術成果。FYo28資訊網——每日最新資訊28at.com

Kevin Yoon在演講中指出，AI技術正經歷從生成式AI向智能體AI（Agentic AI）的跨越，并最終將邁向物理AI（Physical AI）。當前，行業已正式進入智能體AI階段，這種具備自主推理與決策能力的技術，要求系統在維持多種狀態的同時，能夠無延遲地調用工具，從而推動全球數據量與計算需求呈現爆發式增長。他強調，智能體AI的推理過程需要數據長時間留存以獲取最優結果，這直接導致內存容量需求激增。數據中心正從傳統計算模式向數據密集型計算轉型，存儲技術已從后臺支撐設施轉變為決定AI系統效率與可擴展性的核心要素。FYo28資訊網——每日最新資訊28at.com

面對傳統存儲架構在帶寬需求、功耗控制與延遲管理等方面的多重挑戰，Kevin Yoon公布了三星在內存技術領域的雙線突破。針對AI服務器對高帶寬的迫切需求，三星已實現行業首款24Gb容量GDDR7內存的量產，并與領先GPU企業展開深度合作。該產品采用尖端制程工藝與優化電路設計，傳輸速率達42.5Gbps，能效提升超30%，為AI訓練與圖形渲染提供了關鍵支撐。同時，為解決DRAM容量限制問題，三星自2021年全球首推計算快速鏈路（CXL）內存擴展器以來，持續引領技術生態發展。目前，其DDR基CXL 2.0產品已實現規模化量產，并計劃于明年推出兼容CXL 3.1與PCIe Gen 6.0的CMM-D解決方案，支持多服務器實時內存共享，進一步提升數據中心的靈活性與擴展性。FYo28資訊網——每日最新資訊28at.com

在存儲領域，三星圍繞性能、密度與散熱三大核心維度展開了系統性創新。針對PCIe接口代際升級的技術挑戰，三星通過優化NAND與控制器協同設計，將于2026年初推出PCIe Gen6 SSD產品PM1763。該產品在25W功耗限制下實現性能翻倍，能效比提升1.6倍，完美適配GPU密集型AI計算場景。在高密度存儲方面，三星展現了行業領先的技術實力：2025年已推出128TB U.2接口SSD產品，2026至2027年更計劃推出1T厚度的EDSFF形態產品，實現Gen5平臺256TB、Gen6平臺512TB的突破。這一系列成果得益于三星先進的32層堆疊封裝技術與EDSFF形態的輕薄設計優勢，可在有限空間內實現存儲密度與能效的雙重優化。FYo28資訊網——每日最新資訊28at.com

針對高性能存儲帶來的散熱挑戰，Kevin Yoon表示三星正從傳統風冷向液冷等直接冷卻技術轉型。通過將E1.S 8TB SSD厚度從15T縮減至9.5T等形態優化，結合冷板與外殼間熱阻最小化設計，確保下一代存儲產品在滿負荷運行時的系統穩定性。為滿足AI推理場景中對小數據塊快速訪問的需求，三星提出了“內存級存儲（Memory Class Storage）”這一全新技術品類。該技術以GPU主動直接存儲（GIDS）為典型應用，通過GPU與存儲的直接數據交互，大幅降低系統延遲。三星正在研發的第七代Z-NAND技術是這一概念的核心載體，其第三代產品將實現遠超行業標準的吞吐量表現，在保持超高性能的同時最大化能效。FYo28資訊網——每日最新資訊28at.com

峰會期間，主辦方對存儲領域過去一年涌現的杰出企業、創新技術與優秀方案進行了評優，并發布了評選結果。作為行業領軍者，三星半導體憑借在DRAM與NAND領域的重大技術迭代，榮獲“杰出存儲技術引領獎”。評委會特別指出，面對AI爆發對高帶寬、高能效存儲的迫切需求，三星率先實現HBM、DDR5、LPDDR5X及高層堆疊3D NAND等前沿技術的規模化量產與應用，為大模型訓練、數據中心基礎設施升級及高端智能終端創新提供了堅實的技術底座。FYo28資訊網——每日最新資訊28at.com

Kevin Yoon在演講結尾表示，三星通過內存與存儲領域的全棧創新，不僅致力于解決AI時代的數據管理難題，更旨在釋放AI技術的全部潛能。未來，三星將持續突破技術極限，與全球合作伙伴共建存儲生態，共同開啟AI賦能的智能未來。FYo28資訊網——每日最新資訊28at.com

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