小米平板5 Pro 12.4簡評：多專多能 兼顧影音娛樂的大屏利器
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快科技8月18日消息，對于華為麒麟處理器來說，這絕對是一個不錯的消息。
現在，有博主爆料稱，外界盛傳的國產N+3（外界盛傳達到125mtr）工藝消息大概率是靠譜的，因為專利顯示的H210G56指標，計算下來就是125mtr的布線密度。
博主表示，如果真成了，那也意味著國產5nm工藝就達成穩了。
據悉，中芯國際的N+3工藝具有顯著的晶體管密度，達到了125MTr/mm（即每平方毫米125億個晶體管）。這一密度介于臺積電的N6（113MTr/mm）與三星早期的5nm（127MTr/mm）工藝之間，相當于臺積電的5.5nm工藝水平。
若以14nm工藝為基點（密度約35MTr/mm），N+3的密度提升幅度超過了250%，這標志著中芯國際在FinFET架構上的持續優化能力。
盡管N+3的命名容易讓人聯想到“等效5nm”，但其實際性能功耗表現對標的是臺積電的N7P（7nm增強版）和N6工藝。這意味著在相同晶體管數量下，中芯國際N+3的能效可能比臺積電的N5/N4工藝落后約15%~20%，這主要受限于EUV光刻機的短缺導致的工藝復雜度不足。然而，對于長期依賴成熟制程的國產芯片而言，這一進步已經足夠打破多項技術瓶頸。
之前有行業人士表示，華為海思麒麟芯片若采用N+3工藝，其性能有望接近驍龍888水平，足以支撐中高端手機市場的需求。有業內人士猜測，麒麟9300可能會搭載這一工藝。
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